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Samsung Foundry and Arm Expa Collaboration to Drive High-Per

2018-11-24 15:18:36 体育资讯110℃

  三星电子今天宣布与ARM的战略合作代工厂将扩大到7/5纳米(nm)的FinFET工艺技术,以保持在高性能计算时代领先一步。

  基于三星代工大局; 7LPP(7纳米超低功耗)和5LPE(5纳米低功耗月初)的工艺技术,手臂®工匠®物理IP平台将使3GHz的+计算用于臂及rsquo的性能; S皮质&章; -A76处理器。

  三星&rsquo的; S 7LPP工艺技术将准备用于其在2018年下半年初期生产的第一极紫外(EUV)光刻工艺技术,其关键的IP地址,都在开发当中,预计由上半年完成2019年三星大局; 5LPE技术将允许更大的面积比例和超低功耗优势由于7LPP工艺技术的最新创新。

  三星&rsquo的手臂工匠物理IP平台; S 7LPP和5LPE包括HD的逻辑架构,内存编译器的综合套件,1.8V和3.3V GPIO库。此外,三星大局; 7LPP和5LPE工艺技术,ARM将提供工匠POP&贸易;在其最新的处理器核心特色臂DynamIQ和贸易的IP解决方案;技术。臂大局; POP IP解决方案是一个硬核加速技术,以实现最佳的ARM处理器实现和最快速的时间将产品推向市场。

  &Ldquo;建立了广泛的和差异化的设计生态系统是我们的代工客户,&rdquo一绝;瑞安说,李Sanghyun,三星电子代工市场营销部门的副总裁。 &Ldquo ;.与ARM合作的IP解决方案领域的关键是要提高高性能计算能力和加快人工智能(AI)和机器学习能力&rdquo的增长;

  &Ldquo;臂和三星铸造已经合作大量使用在三星铸造工艺技术的Artisan物理IP rdquo芯片,&;开低,市场营销的副总裁,物理设计集团在手臂说。 &Ldquo;三星代工大局; 7LPP和5LPE节点,这将满足我们共同的客户和rsquo的创新工艺技术; 。需要从移动提供了下一代先进上系统芯片(SoC)的超大规模到数据中心”的

  最近更新三星&rsquo的的详情进行代工的路线图,从7海里EUV开发3GAAE *(3nm的环栅月初左右)技术,一流的设计支持解决方案是在三星代工论坛2018韩国提交了关于2018年7月5日,在首尔。三星代工论坛分别在美国和中国今年早些时候举行,共享三星大局;与全球客户和合作伙伴先进的工艺技术。

  

  有关三星代工的更多信息,请访问www.samsungfoundry.com。

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